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SUM90N10-8M2P-E3
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SUM90N10-8M2P-E3

类别: 晶体管
制造商:VISHAY
封装:
批号:
库存:1
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描述
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A; 300W; D2PAK
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供应商:
科微杰
系列:
TrenchFET®
FET类型:
N 沟道
技术:
MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):
90A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):
10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):
4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
150nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):
6290pF @ 50V
Vgs(最大值):
±20V
功率耗散(最大值):
3.75W(Ta),300W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):
8.2 毫欧 @ 20A,10V
工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引...
封装形式Package:
D2PAK
极性Polarity:
N-CH
漏源极击穿电压VDSS:
100V
连续漏极电流ID:
90A
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
暂无数据
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