NVTR4502PT1G_科微杰电子商城_晶体管

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NVTR4502PT1G

类别：晶体管

制造商：ONSEMI

封装：

批号：

库存：1

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描述

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23

单价：

1+ PCS ￥面议

100+ PCS ￥面议

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NVTR4502PT1G参数
商品详情
其它分类

供应商：

科微杰

FET类型：

P 沟道

技术：

MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：

1.13A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：

4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：

3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

10nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：

200pF @ 15V

Vgs（最大值）：

±20V

功率耗散（最大值）：

400mW（Tj）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：

200 毫欧 @ 1.95A，10V

工作温度：

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：

表面贴装

封装/外壳：

TO-236-3，SC-59，SOT...

封装形式Package：

SOT-23

极性Polarity：

P-CH

漏源极击穿电压VDSS：

30V

连续漏极电流ID：

1.13A

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

200pF @ 15V

功率耗散（最大值）：

400mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

200 毫欧 @ 1.95A，10V

FET 类型：

P 沟道

漏源极电压（Vdss）：

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

1.13A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

3V @ 250µA

无铅情况/RoHs：

无铅/符合RoHs

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NVTR4502PT1G

供应商：

FET类型：

技术：

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：

Vgs（最大值）：

功率耗散（最大值）：

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：

工作温度：

安装类型：

封装/外壳：

封装形式Package：

极性Polarity：

漏源极击穿电压VDSS：

连续漏极电流ID：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

功率耗散（最大值）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

FET 类型：

漏源极电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

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NVTR4502PT1G相关型号-每一颗芯片都来自原厂更多 >

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技术：

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：

Vgs（最大值）：

功率耗散（最大值）：

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：

工作温度：

安装类型：

封装/外壳：

封装形式Package：

极性Polarity：

漏源极击穿电压VDSS：

连续漏极电流ID：

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

功率耗散（最大值）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

FET 类型：

漏源极电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

无铅情况/RoHs：

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不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

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